量子电子学报

作者：张宇煊,李美欣,姜浩,王浩然,罗丹妮,张赞允,

单位：1 天津工业大学电子与信息工程学院, 天津 300387;2 天津工业大学, 天津市光电检测技术与系统重点实验室, 天津 300387

关键词：硅基高线性度调制器,微波光子学,欧拉弯曲波导,三阶互调失真,

基金：国家自然科学基金 (62341508), 天津市光电探测技术与系统重点实验室开放课题 (2024LODTS104)

微波光子学链路对调制器的线性度提出了极高要求, 传统硅基微环辅助马赫-曾德尔高线性度调制 器(RAMZM)因制造容差小、集成度低而难以大规模应用。本文提出了一种高容差、高集成度的RAMZM, 以欧拉弯曲波导代替常规圆波导, 在3 µm极限弯曲半径下实现−0.0034 dB的超低插入损耗; 通过将微环耦合在马赫-曾德尔干涉仪内部, 相比于微环外置的方案, 器件面积节约了约1×104 µm2; 通过引入可调耦合区使得该调制器工艺容差扩展至±18 nm。此外, 基于1 GHz双音测试的仿真结果表明, 该调制器三阶交调失真对应的自由无杂散动态范围可达114.66 dB⋅Hz2/3, 验证了所提结构的高线性度优势。

来源：2026年第2期

《量子电子学报》期刊编辑部

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