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国内刊号：34-1163/TN
国际刊号：1007-5461
发布日期:
作者：赵敏,辛颖,匡尚奇
单位：长春理工大学物理学院, 吉林 长春 130022
关键词：光刻技术,极紫外光刻,掩模仿真,缺陷补偿,成像仿真,
基金：国家自然科学基金区域联合基金重点项目 (U22A2070)
极紫外(EUV)光刻是目前国际上7 nm及其以下技术节点芯片量产的主流光刻技术, 其较高的成像质量是保证光刻系统性能的重要前提, 而光刻掩模的质量又直接影响着系统的成像质量。理想的“零”缺陷光刻掩模实际上是无法制备的, 而缺陷的存在会严重影响曝光成像质量, 因此对EUV光刻掩模缺陷进行补偿是EUV光刻不可或缺的关键技术。为了实现高效和高精度的缺陷补偿, 大量的光刻仿真计算模拟是必不可少的, 其中掩模仿真、系统成像仿真和补偿策略都会对补偿的效率产生影响, 因此探究快速、高精度的掩模仿真模型和系统成像模型具有重要意义。鉴于此, 本文系统梳理了EUV光刻掩模成像仿真算法和掩模缺陷补偿策略, 分析了不同方法的优点和局限性, 并探讨了掩模缺陷补偿策略的发展趋势。
来源：2025年第6期
《量子电子学报》期刊编辑部
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