量子电子学报

作者：乔旭冕,李新化,谷毛毛,龚书磊,弓紫燕,吴超可,吴超,赵雷鸣

单位：(安徽建筑大学先进电子材料与器件重点实验室, 安徽 合肥 230601 )

关键词：光电子学,光电导,纤锌矿结构砷化镓,深能级缺陷,分子束外延,

基金：安徽省首批揭榜性质课题 (2021e03020007), 安徽省重点研究与开发计划项目 (202104a05020048)

深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线, 得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为, 提出了基于缺陷光电离模型来提取特定缺陷能级水平特征的方法。通过拟合纤锌矿结构砷化镓纳米线的光离化谱, 得到了0.69 eV的光电离能。光离化能和热捕获能之间的较大能量差异意味着缺陷与晶格有强耦合作用, 这与闪锌矿结构砷化镓中EL2中心的行为相似。

来源：2024年第4期

《量子电子学报》期刊编辑部

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