量子电子学报

作者：王康,,刘一,宋立伟∗

单位：( 1 上海理工大学光电信息与计算机工程学院, 上海 200093;2 中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室, 上海 201800 )

关键词：薄膜物理学,二氧化钒薄膜,绝缘-金属相变,太赫兹时域光谱,太赫兹功能器件,

基金：中国科学院高层次人才引进计划, 中国科学院科研仪器设备研制项目 (YJKYYQ20200031), 上海市自然科学基金重点项目(20JC1416000)

二氧化钒 (VO2) 是一种典型的强关联电子材料, 当达到相变阈值时, 会可逆地从绝缘单斜相转变到金属金红石相, 这种相变主要通过温度、光照、电场、磁场、应力等激励条件激发。相突变可在亚皮秒时间尺度内发生, 并会伴随着光学透过率、折射率和磁化率等特性的显著变化，其中相变前后电阻率会发生 3∼5 个数量级的变化, 这使得 VO2 在智能节能窗、光电探测、光电存储、光开关等领域有着重要的应用前景。首先介绍了VO2 的相变机制, 主要有电子关联驱动、晶格结构驱动以及两者共同驱动, 接着重点介绍了利用超快时间分辨技术, 尤其是太赫兹时域光谱技术, 来研究 VO2 薄膜的相变动力学过程, 最后, 介绍了基于 VO2 薄膜的太赫兹调制器、太赫兹滤波器、太赫兹开关等领域的应用研究。

来源：2023年第2期

《量子电子学报》期刊编辑部

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