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国内刊号：34-1163/TN
国际刊号：1007-5461
发布日期:
作者：魏士钦王瑶王梦真王芳刘俊杰刘玉怀
单位：( 1 郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心, 河南 郑州 450001;2 郑州唯独电子科技有限公司, 河南 郑州 450001;3 郑州大学产业技术研究院有限公司, 河南 郑州 450001 )
关键词：激光技术,深紫外激光二极管,AlGaN,阱式阶梯电子阻挡层,电子泄露,
基金：国家重点研发计划 (2016YFE0118400), 宁波市“科技创新 2025”重大专项 (2019B10129)
为有效降低深紫外激光二极管 (DUV-LD) 在有源区的电子泄露, 提出了一种阱式阶梯电子阻挡层 (EBL)结构。利用 Crosslight 软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究, 详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P − I 以及 V − I 特性等, 结果表明阱式阶梯 EBL 对电子的泄露抑制效果最好, 从而使得器件的光学和电学性能得到优化。
来源：2023年第1期
《量子电子学报》期刊编辑部
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