量子电子学报

作者：张瑞,梅大江,∗,石小兔,马荣国,张庆礼,∗,窦仁勤,刘文鹏,

单位：( 1 上海工程技术大学化学化工学院, 上海 201620;2 中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所, 安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽 合肥 230031;3 中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室, 福建 福州 350002;4 先进激光技术安徽省实验室, 安徽 合肥 230037;5 中国科学技术大学, 安徽 合肥 230026 )

关键词：激光技术,YAG 晶体,位错,晶体缺陷,晶体生长,

基金：Supported by Foundation of Advanced Laser Technology Laboratory of Anhui Province (先进激光技术安徽省实验室开放研究基金项目, AHL 20220 ZR04), National Natural Science Foundation of China (国家自然科学基金青年科学基金项目, 51802307)

大尺寸 YAG 晶体的生长不可避免地会出现各种缺陷, 位错是晶体中主要的缺陷之一。位错会产生应力双折射, 降低晶体的光学均匀性, 增大损耗、缩短使用寿命等, 因此生长出无位错或低位错 YAG 晶体对发展高效率固体激光器具有重要意义。本文综述了近四十年来国内外对于 YAG 晶体的位错研究状况，总结了化学腐蚀法、缀饰法、同步辐射法、应力双折射法、X 射线透射形貌术、光散射层貌术等在位错方面的研究以及 TEM、SEM 等方法在 YAG 位错研究上的应用, 并对晶体生长工艺对晶体内部位错密度与分布的影响进行了介绍, 为大尺寸、高品质 YAG 激光晶体的制备和位错研究提供了参考。

来源：2022年第5期

《量子电子学报》期刊编辑部

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