量子电子学报

作者：张傲翔,王瑶,王梦真,魏士钦,王芳,刘玉怀,

单位：( 1 郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心, 河南郑州450001;2 郑州唯独电子科技有限公司, 河南郑州450001;3 郑州大学产业技术研究院有限公司, 河南郑州450001 )

关键词：激光技术,深紫外激光二极管,AlGaN,M 形空穴阻挡层,空穴泄露,

基金：Supported by National Key Research and Development Program (国家重点研发计划, 2016YFE0118400), Zhengzhou 1125 InnovationProject (郑州市1125 科技创新项目, ZZ2018-45), Ningbo 2025 Key Innovation Project (宁波市重大科技创新专项, 2019B10129)

为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD) 在n 型区的空穴泄露, 优化其工作性能, 提出了一种新颖的M形空穴阻挡层(HBL) 结构。使用Crosslight 软件对矩形、N 形和M 形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究和对比, 发现M 形空穴阻挡层结构能够更有效地降低n 型区的空穴泄露, 增加量子阱内的辐射复合率, 同时降低激光二极管的阈值电压与阈值电流, 提升激光二极管的电光转换效率与输出功率, 表明M 形空穴阻挡层结构能够有效降低DUV-LD 在n 型区的空穴泄露并优化其工作性能。

来源：2022年第4期

《量子电子学报》期刊编辑部

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