量子电子学报

作者：廖杨芳,谢泉∗

单位：( 1 贵州师范大学物理与电子科学学院, 贵州贵阳550001;2 贵州大学大数据与信息工程学院, 贵州贵阳550025 )

关键词：材料,薄膜,Mg2Si,退火温度,退火时间,衬底,

基金：Supported by Guizhou Provincial Science and Technology Foundation (贵州省科技计划项目, 黔科合基础[2019] 1225号), DoctoralResearch Program of Guizhou Normal University, China (贵州师范大学资助博士科研项目, GZNUD [2018] 15 号)

以Mg2Si 烧结靶为靶材, 采用磁控溅射法在Si、石英和Al2O3 衬底上先沉积一层Mg2Si 非晶薄膜, 再进行退火处理, 研究了衬底类型、退火温度及退火时间对Mg2Si 多晶薄膜结构的影响。结果表明: Si、石英、Al2O3 三种衬底上Mg2Si 薄膜的最优退火温度和退火时间均为350 ◦C 和1 h。Al2O3 衬底上的Mg2Si 薄膜结晶质量最佳, Si 衬底上的薄膜次之, 石英衬底上的薄膜结晶质量最不理想, 分析表明这种差异主要源于衬底与薄膜之间的热失配不同。

来源：2022年第4期

《量子电子学报》期刊编辑部

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