量子电子学报

作者：郑煜臻,朱博杰,武彪,黄永丹,陈建,黄荣,孙骏逸,贾浩林,顾俊,熊康林,∗,冯加贵,∗,杨辉,

单位：( 1 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米真空互联实验站,江苏 苏州 215123;2 材料科学姑苏实验室,江苏 苏州 215123 )

关键词：量子电子学,共面波导谐振器,低损耗,品质因子,单光子,

基金：Supported by Natural Science Foundation of Jiangsu Province (江苏省自然科学基金, BK20180255), Youth Innovation PromotionAssociation of Chinese Academy of Sciences (中国科学院青年创新促进会, 2019319)

研制具有实用价值的超导量子系统需要进一步提高量子比特的质量, 目前材料及核心表界面缺陷是限制量子比特相干时间的重要因素。微波谐振器作为超导量子芯片的重要组成部分, 可用于表征材料质量及相关器件制备工艺优劣。利用分子束外延 (MBE) 技术在本征硅 (111) 衬底上生长铝膜, 制备 λ/4 共面波导谐振器。通过硅衬底的处理和高质量铝薄膜的制备, 在 20 mK 的温度和近单光子探测功率下将谐振器本征品质因子提升到 106。

来源：2021年第4期

《量子电子学报》期刊编辑部

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