量子电子学报

北大核心,CA,JST,Pж(AJ),CSCD扩展版

国内刊号:34-1163/TN

国际刊号:1007-5461

量子电子学报杂志2021年第4期:一种简单并联记忆元件混沌系统的研究

发布日期:

作者:李晓霞,∗,王雪,冯志新,张启宇,徐桂芝,

单位:( 1 河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室,天津 300130;2 河北工业大学河北省电磁场与电器可靠性重点实验室,天津 300130 )

关键词:混沌,动力学行为,电路实现,记忆元件,

基金:Supported by National Natural Science Foundation of China (国家自然科学基金, 51737003, 51977060), Natural Science Foundation ofHebei Province (河北省自然科学基金, E2011202051)

分别设计了忆阻器、忆感器、忆容器的通用数学模型, 并以此为基础构造了简单的并联混沌系统, 分析了包括相图、时域图、Lyapunov 指数、功率谱、庞加莱截面在内的动力学特性, 证明了其超混沌特性。进一步研究了平衡点稳定性、系统参数及初始值对系统的影响, 研究结果表明: 参数的对称性变化会引起系统状态相应的对称性变化; 而在系统能混沌振荡的情况下, 初始值不影响系统的状态。最后利用 Multisim 进行了电路仿真, 数值仿真与实验结果呈现出较好的一致性, 证明该系统的现实可行性与实际存在性。该系统的研究既扩展了记忆元件在非线性范畴的应用, 又为基于记忆元件的超混沌系统的实际应用奠定了基础。

来源:2021年第4期

《量子电子学报》期刊编辑部

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