量子电子学报

作者：王超,赛青林∗,齐红基∗

单位：1 中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光材料重点实验室, 上海201800;2 中国科学院大学, 北京100049

关键词：材料,-Ga2O3 单晶,制备方法,光学性质,电学性质,

基金：Supported by National Natural Science Foundation of China (国家自然科学基金, 51802327, 51972319)

-Ga2O3 作为宽禁带半导体材料, 以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备-Ga2O3 单晶及如何通过掺杂五族离子实现对-Ga2O3 单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究, 对-Ga2O3 单晶的制备方法、Ta5+ 与Nb5+ 掺杂-Ga2O3单晶的电学性质及光学性质进行了综述。

来源：2021年第2期

《量子电子学报》期刊编辑部

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