量子电子学报

作者：王强,丁雨憧∗,屈菁菁,王璐,董鸿林,方承丽,毛世平

单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆400060

关键词：材料,Ce:GAGG 闪烁晶体,透过率,光输出,能量分辨率,

基金：Supported by ”13th Five Year Plan” Equipment Pre-research Project of China (“十三五”装备预研项目, 41424060303)

选择不同厚度的Ce:GAGG 闪烁晶体(2, 4, 6, 8, 10 mm), 通过透过率测试分析自吸收对Ce: GAGG 闪烁晶体性能的影响, 同时研究晶体表面不同粗糙度、不同封装、不同耦合方式对Ce: GAGG 闪烁晶体光输出、能量分辨率的影响。实验结果表明通过优化Ce: GAGG 闪烁晶体样品表面粗糙度、封装反射层和耦合方式, 能大幅度提高Ce: GAGG 闪烁晶体样品的光输出和能量分辨率。使用137Cs 标准放射源, 测试得到Ce: GAGG 闪烁晶体样品的最佳能量分辨率为7.0%。

来源：2021年第2期

《量子电子学报》期刊编辑部

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