量子电子学报

作者：荆玉峰,郑建刚,肖凯博,严雄伟,蒋新颖,

单位：1中国工程物理研究院激光聚变研究中心激光技术工程部，四川 绵阳 621900；2中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室，四川 绵阳 621900；3上海交通大学IFSA协同创新中心，上海 200240；4中国工程物理研究院研究生院，北京1000881中国工程物理研究院激光聚变研究中心激光技术工程部，四川 绵阳 621900；2中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室，四川 绵阳 621900；3上海交通大学IFSA协同创新中心，上海 200240；4中国工程物理研究院研究生院，北京100088

关键词：半导体激光器,光束整形,光纤耦合,高功率,

基金：Supported by National Natural Science Foundation of China (国家自然科学基金, U1830104), Development of Science and Technology Foundation of China Academy of Engineering Physics (中国工程物理研究院科学技术发展基金，2018A0401018）

为探明LOC_Os10g05490位点冷胁迫条件下的表达特性和耐冷性功能,以耐冷东乡野生稻和冷敏感水稻93-11为试验材料进行了半定量分析,结果表随着半导体材料生长工艺和封装技术等的快速发展，高功率、高亮度半导体激光器的性能不断提升，使之在工业加工、生物医疗、国防以及作为光纤和固体激光器泵浦源等方面有着重要作用。近些年来，边发射半导体的功率、光束质量的提升，使得耦合到光纤的输出功率不断提高。单管光纤耦合逐渐从毫瓦级输出发展到数十瓦输出，通过偏振、光谱、空间等合束技术，甚至达到数百瓦的输出。在叠阵或多线阵光纤耦合方面，也实现了从数十瓦级输出发展到数十千瓦级输出。从单管、线阵和叠阵三种半导体激光器出发，对半导体激光器发展现状、技术进行了调研分析，对光纤耦合半导体激光器的多种整形、合束和耦合技术进行了总结和展望。

来源：2019年第6期

《量子电子学报》期刊编辑部

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